GT30J121(Q)（Toshiba）-南皇電子|電子元器件代理

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GT30J121(Q)（Toshiba） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：GT30J121(Q)

制造廠商：Toshiba

技術規格：IGBT 600V 30A 170W TO3PN

功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳情：

製造商產品型號：GT30J121(Q)

製造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN

系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：*

零件狀態：有源

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：30A

電流-集電極脈衝(Icm)：60A

不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，30A

功率-最大值：170W

開關能量：1mJ（開），800µJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：-

25°C時Td（開/關）值：90ns/300ns

測試條件：300V，30A，24 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-

安裝類型：通孔

封裝：TO-3P-3，SC-65-3

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GT30J121(Q)（制造商：Toshiba），技術規格IGBT 600V 30A 170W TO3PN 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

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