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    TSM110NB04DCR RLG（Taiwan） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    TSM110NB04DCR RLG圖片
    基本資料：
  • 零件型號：TSM110NB04DCR RLG
  • 制造廠商：Taiwan
  • 技術規格：DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V
  • 功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載TSM110NB04DCR RLG的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：TSM110NB04DCR RLG
  • 製造商：Taiwan Semiconductor Corporation
  • 描述：DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V
  • 系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產品系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
  • 零件狀態：-
  • FET類型：有源
  • FET功能：2 N-通道（雙）
  • 漏源電壓（Vdss）：標準
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：40V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：10A（Ta），48A（Tc）
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：11 毫歐 @ 10A，10V
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：4V @ 250µA
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：25nC @ 10V
  • 功率-最大值：1506pF @ 20V
  • 工作溫度：2W（Ta），48W（Tc）
  • 安裝類型：-55°C ~ 155°C（TJ）
  • 封裝：表面貼裝型
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    TSM110NB04DCR RLG（制造商：Taiwan），技術規格DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V 電晶體 - FET，MOSFET - 陣列
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