CSD87312Q3E（TI）-南皇電子|電子元器件代理

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CSD87312Q3E（TI） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：CSD87312Q3E

制造廠商：TI

技術規格：MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

功能類別：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳情：

製造商產品型號：CSD87312Q3E

製造商：Texas Instruments

描述：MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

系列：電晶體 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：NexFET™

零件狀態：有源

FET類型：2 N 溝道（雙）共源

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續漏極(Id)：27A

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：33 毫歐 @ 7A，8V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA

不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：8.2nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1250pF @ 15V

功率-最大值：2.5W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerTDFN

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CSD87312Q3E（制造商：TI），技術規格MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON 電晶體 - FET，MOSFET - 陣列

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