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    KMFE10012M-B214（Samsung） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    KMFE10012M-B214圖片
    基本資料：
  • 零件型號：KMFE10012M-B214
  • 制造廠商：Samsung
  • 技術規格：SAMSUNG DRAM NAND
  • 功能類別：多制層封裝晶片
  • 點擊此處下載KMFE10012M-B214的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 三星晶片型號：KMFE10012M-B214
  • 製造商：SAMSUNG（三星半導體）
  • 功能類別：多制層封裝晶片
  • eStorage 密度：16 GB
  • eStorage 版本：嵌入式多媒體卡 5.1
  • DRAM 密度：8 Gb
  • DRAM 類型：三代低功耗雙倍數據率同步動態隨機記憶體
  • 封裝：221FBGA
  • 速率：1866 Mbps
  • 產品狀態：批量生產
  • 南皇電子自營直供，KMFE10012M-B214均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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    KMFE10012M-B214（制造商：Samsung），技術規格SAMSUNG DRAM NAND 多制層封裝晶片
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