K4T51163QN-BI
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K4T51163QN-BI（Samsung） - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
基本資料：
零件型號：
K4T51163QN-BI
制造廠商：
Samsung
技術規格：SAMSUNG DRAM NAND
功能類別：雙倍數據率同步動態隨機記憶體
點擊此處下載K4T51163QN-BI的原廠技術規格書（PDF文件）
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技術參數詳情：
三星晶片型號：K4T51163QN-BI
製造商：SAMSUNG（三星半導體）
功能類別：雙倍數據率同步動態隨機記憶體
容量：512Mb
架構：32M x 16
速率：1066 Mbps
工作電壓：1.8 V
工作溫度：-40 ~ 95 °C
封裝：84FBGA
產品狀態：批量生產
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K4T51163QN-BI（制造商：Samsung），技術規格SAMSUNG DRAM NAND 雙倍數據率同步動態隨機記憶體
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