K4F8E3S4HB-MFCJ
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K4F8E3S4HB-MFCJ（Samsung） - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
基本資料：
零件型號：
K4F8E3S4HB-MFCJ
制造廠商：
Samsung
技術規格：SAMSUNG DRAM NAND
功能類別：低功耗雙倍數據率同步動態隨機記憶體
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技術參數詳情：
三星晶片型號：K4F8E3S4HB-MFCJ
製造商：SAMSUNG（三星半導體）
功能類別：低功耗雙倍數據率同步動態隨機記憶體
容量：8Gb
架構：x32
速率：3733 Mbps
工作電壓：1.8 / 1.1 / 1.1 V
工作溫度：-40 ~ 95 °C
封裝：200FBGA
產品狀態：批量生產
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K4F8E3S4HB-MFCJ（制造商：Samsung），技術規格SAMSUNG DRAM NAND 低功耗雙倍數據率同步動態隨機記憶體
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