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    K4B4G1646E-BYMA（Samsung） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    K4B4G1646E-BYMA圖片
    基本資料：
  • 零件型號：K4B4G1646E-BYMA
  • 制造廠商：Samsung
  • 技術規格：SAMSUNG DRAM NAND
  • 功能類別：雙倍數據率同步動態隨機記憶體
  • 點擊此處下載K4B4G1646E-BYMA的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 三星晶片型號：K4B4G1646E-BYMA
  • 製造商：SAMSUNG（三星半導體）
  • 功能類別：雙倍數據率同步動態隨機記憶體
  • 容量：4Gb
  • 架構：512M x 8
  • 速率：1866 Mbps
  • 工作電壓：1.35 V
  • 工作溫度：0 ~ 85 °C
  • 封裝：96FBGA
  • 產品狀態：批量生產
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    K4B4G1646E-BYMA（制造商：Samsung），技術規格SAMSUNG DRAM NAND 雙倍數據率同步動態隨機記憶體
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