STGWT40H65DFB（ST）-南皇電子|電子元器件代理

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STGWT40H65DFB（ST） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：STGWT40H65DFB

制造廠商：ST

技術規格：IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳情：

製造商產品型號：STGWT40H65DFB

製造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：80A

電流-集電極脈衝(Icm)：160A

不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A

功率-最大值：283W

開關能量：498µJ（開），363µJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：210nC

25°C時Td（開/關）值：40ns/142ns

測試條件：400V，40A，5 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：62ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-3P-3，SC-65-3

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STGWT40H65DFB（制造商：ST），技術規格IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

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