STGWA30H65FB（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STGWA30H65FB製造商：STMicroelectronics描述：IGBT系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：HB零件狀態：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：60A電流-集電極脈衝(Icm)：120A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A功率-最大值：260W開關能量：151mJ（開），293mJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：149nC25°C時Td（開/關）值：37ns/146ns測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-247-3南皇電子自營直供，STGWA30H65FB均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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STGWA30H65FB（制造商：ST），技術規格IGBT 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
