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    STGW60H65DRF（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    STGW60H65DRF圖片
    基本資料：
  • 零件型號：STGW60H65DRF
  • 制造廠商：ST
  • 技術規格：IGBT 650V 120A 420W TO247
  • 功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載STGW60H65DRF的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：STGW60H65DRF
  • 製造商：STMicroelectronics
  • 描述：IGBT 650V 120A 420W TO247
  • 系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：停產
  • IGBT類型：溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：120A
  • 電流-集電極脈衝(Icm)：240A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，60A
  • 功率-最大值：420W
  • 開關能量：940µJ（開），1.06mJ（關）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：217nC
  • 25°C時Td（開/關）值：85ns/178ns
  • 測試條件：400V，60A，10 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：19ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-247-3
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    STGW60H65DRF（制造商：ST），技術規格IGBT 650V 120A 420W TO247 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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