STGW35NB60SD（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STGW35NB60SD製造商：STMicroelectronics描述：IGBT 600V 70A 200W TO247系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：PowerMESH™零件狀態：有源IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：70A電流-集電極脈衝(Icm)：250A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，20A功率-最大值：200W開關能量：840µJ（開），7.4mJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：83nC25°C時Td（開/關）值：92ns/1.1µs測試條件：480V，20A，100 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：44ns工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-247-3南皇電子自營直供，STGW35NB60SD均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
STGW35NB60SD（制造商：ST），技術規格IGBT 600V 70A 200W TO247 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
