STGW25H120DF2（ST）-南皇電子|電子元器件代理

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STGW25H120DF2（ST） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：STGW25H120DF2

制造廠商：ST

技術規格：IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳情：

製造商產品型號：STGW25H120DF2

製造商：STMicroelectronics

描述：IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：50A

電流-集電極脈衝(Icm)：100A

不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，25A

功率-最大值：375W

開關能量：600µJ（開），700µJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：100nC

25°C時Td（開/關）值：29ns/130ns

測試條件：600V，25A，10 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：303ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

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STGW25H120DF2（制造商：ST），技術規格IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

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