STGF6M65DF2（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STGF6M65DF2製造商：STMicroelectronics描述：IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：M零件狀態：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：12A電流-集電極脈衝(Icm)：24A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，6A功率-最大值：24.2W開關能量：36µJ（開），200µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：21.2nC25°C時Td（開/關）值：15ns/90ns測試條件：400V，6A，22 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：140ns工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-220-3 整包南皇電子自營直供，STGF6M65DF2均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
STGF6M65DF2（制造商：ST），技術規格IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
