STGD3NB60SD-1（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STGD3NB60SD-1製造商：STMicroelectronics描述：IGBT 600V 6A 48W DPAK系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：PowerMESH™零件狀態：停產IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：6A電流-集電極脈衝(Icm)：25A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：1.5V @ 15V，3A功率-最大值：48W開關能量：1.1mJ（開），1.15mJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：18nC25°C時Td（開/關）值：125µs/3.4µs測試條件：480V，3A，1 千歐，15V反向恢復時間(trr)：1.7µs工作溫度：175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63南皇電子自營直供，STGD3NB60SD-1均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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STGD3NB60SD-1（制造商：ST），技術規格IGBT 600V 6A 48W DPAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
