STGD3NB60HDT4（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STGD3NB60HDT4製造商：STMicroelectronics描述：IGBT 600V 10A 50W DPAK系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：PowerMESH™零件狀態：停產IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：10A電流-集電極脈衝(Icm)：24A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A功率-最大值：50W開關能量：33µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：21nC25°C時Td（開/關）值：5ns/53ns測試條件：480V，3A，10 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：95ns工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63南皇電子自營直供，STGD3NB60HDT4均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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