STGB3NB60FDT4（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STGB3NB60FDT4製造商：STMicroelectronics描述：IGBT 600V 6A 68W D2PAK系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：PowerMESH™零件狀態：停產IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：6A電流-集電極脈衝(Icm)：24A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，3A功率-最大值：68W開關能量：125µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：16nC25°C時Td（開/關）值：12.5ns/105ns測試條件：480V，3A，10 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：45ns工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB南皇電子自營直供，STGB3NB60FDT4均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
STGB3NB60FDT4（制造商：ST），技術規格IGBT 600V 6A 68W D2PAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
