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STGB3NB60FDT4(ST) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
STGB3NB60FDT4圖片
基本資料:
  • 零件型號:STGB3NB60FDT4
  • 制造廠商:ST
  • 技術規格:IGBT 600V 6A 68W D2PAK
  • 功能類別:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:STGB3NB60FDT4
  • 製造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 600V 6A 68W D2PAK
  • 系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:PowerMESH™
  • 零件狀態:停產
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):6A
  • 電流-集電極脈衝(Icm):24A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,3A
  • 功率-最大值:68W
  • 開關能量:125µJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:16nC
  • 25°C時Td(開/關)值:12.5ns/105ns
  • 測試條件:480V,3A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):45ns
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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    STGB3NB60FDT4(制造商:ST),技術規格IGBT 600V 6A 68W D2PAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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