STGB20NB37LZ（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STGB20NB37LZ製造商：STMicroelectronics描述：IGBT 425V 40A 200W D2PAK系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：PowerMESH™零件狀態：停產IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：425V電流-集電極(Ic)（最大值）：40A電流-集電極脈衝(Icm)：80A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2V @ 4.5V，20A功率-最大值：200W開關能量：11.8mJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：51nC25°C時Td（開/關）值：2.3µs/2µs測試條件：250V，20A，1 千歐，4.5V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB南皇電子自營直供，STGB20NB37LZ均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
STGB20NB37LZ（制造商：ST），技術規格IGBT 425V 40A 200W D2PAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
