STGB15H60DF(ST) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
製造商產品型號:STGB15H60DF製造商:STMicroelectronics描述:IGBT 600V 30A 115W D2PAK系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:有源IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):30A電流-集電極脈衝(Icm):60A不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A功率-最大值:115W開關能量:136µJ(開),207µJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:81nC25°C時Td(開/關)值:24.5ns/118ns測試條件:400V,15A,10 歐姆,15V反向恢復時間(trr):103ns工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB南皇電子自營直供,STGB15H60DF均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
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STGB15H60DF(制造商:ST),技術規格IGBT 600V 30A 115W D2PAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單