STD11NM60ND（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STD11NM60ND製造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 600V 10A DPAK系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：FDmesh™ II零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續漏極(Id)：10A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：450 毫歐 @ 5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：30nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：850pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：90W（Tc）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：DPAK南皇電子自營直供，STD11NM60ND均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
STD11NM60ND（制造商：ST），技術規格MOSFET N-CH 600V 10A DPAK 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
