STB6NM60N（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STB6NM60N製造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：MDmesh™ II零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續漏極(Id)：4.6A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：920 毫歐 @ 2.3A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：13nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：420pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：45W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：D2PAK南皇電子自營直供，STB6NM60N均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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STB6NM60N（制造商：ST），技術規格MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
