STB21NM60N-1（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STB21NM60N-1製造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：MDmesh™零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續漏極(Id)：17A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：220 毫歐 @ 8.5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：66nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：140W（Tc）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：I2PAK南皇電子自營直供，STB21NM60N-1均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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STB21NM60N-1（制造商：ST），技術規格MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
