STB150N3LH6（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：STB150N3LH6製造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N CH 30V 80A D2PAK系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：DeepGATE™, STripFET™ VI零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續漏極(Id)：80A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3 毫歐 @ 40A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：80nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3800pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：110W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：TO-263（D²Pak）南皇電子自營直供，STB150N3LH6均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
STB150N3LH6（制造商：ST），技術規格MOSFET N CH 30V 80A D2PAK 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
