STB11NM60-1(ST) - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情:
製造商產品型號:STB11NM60-1製造商:STMicroelectronics描述:MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個產品系列:MDmesh™零件狀態:停產FET類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650V25°C時電流-連續漏極(Id):11A(Tc)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):450 毫歐 @ 5.5A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1000pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):160W(Tc)工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔器件封裝:I2PAK南皇電子自營直供,STB11NM60-1均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
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STB11NM60-1(制造商:ST),技術規格MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK 電晶體 - FET,MOSFET - 單個