SCTW35N65G2VAG（ST） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：SCTW35N65G2VAG製造商：STMicroelectronics描述：SICFET N-CH 650V 45A HIP247系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：Automotive, AEC-Q101零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：SiCFET（碳化矽）漏源電壓（Vdss）：650V25°C時電流-連續漏極(Id)：45A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V，20V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：67毫歐 @ 20A，20V不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：73nC @ 20VVgs（最大值）：+22V，-10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：240W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：HiP247™南皇電子自營直供，SCTW35N65G2VAG均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
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