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SCTW100N65G2AG(ST) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
SCTW100N65G2AG圖片
基本資料:
  • 零件型號:SCTW100N65G2AG
  • 制造廠商:ST
  • 技術規格:SICFET N-CH 650V 100A HIP247
  • 功能類別:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:SCTW100N65G2AG
  • 製造商:STMicroelectronics
  • 描述:SICFET N-CH 650V 100A HIP247
  • 系列:電晶體 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:SiCFET(碳化矽)
  • 漏源電壓(Vdss):650V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):100A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):18V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):26 毫歐 @ 50A,18V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
  • 不同Vgs時柵極電荷 (Qg)(最大值):162nC @ 18V
  • Vgs(最大值):+22V,-10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):3315pF @ 520V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):420W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:HiP247™
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