NE85619-T1
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NE85619-T1(Renesas) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
基本資料:
零件型號:
NE85619-T1
制造廠商:
Renesas
技術規格:TRANS NPN 1GHZ SMD
功能類別:RF 電晶體(BJT)
點擊此處下載NE85619-T1的原廠技術規格書(PDF文件)
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技術參數詳情:
Renesas瑞薩完整型號: NE85619-T1
製造廠家名稱: CEL (已被Renesas瑞薩收購)
功能總體簡述: TRANS NPN 1GHZ SMD
系列: -
電晶體類型: NPN
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 12V
頻率 - 躍遷: 4.5GHz
雜訊係數(dB,不同 f 時的典型值): 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益: 6.5dB ~ 12.5dB
功率 - 最大值: 100mW
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值): 80 @ 20mA,10V
電流 - 集電極(Ic)(最大值): 100mA
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-523
供應商器件封裝: SOT-523
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NE85619-T1(制造商:Renesas),技術規格TRANS NPN 1GHZ SMD RF 電晶體(BJT)
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