NE3517S03-T1C-A（Renesas） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
Renesas瑞薩完整型號: NE3517S03-T1C-A製造廠家名稱: CEL （已被Renesas瑞薩收購）功能總體簡述: DISCRETE RF FET系列: -電晶體類型: HFET電壓 - 集射極擊穿（最大值）: -頻率: 20GHz增益: 13.5dB頻率 - 躍遷: -雜訊係數（dB，不同 f 時的典型值）: -電壓 - 測試: 2V額定電流: 15mA功率 - 最大值: -雜訊係數: 0.7dB不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: -電流 - 測試: 10mA功率 - 輸出: -電流 - 集電極（Ic）（最大值）: -安裝類型: -電壓 - 額定: 4V封裝/外殼: 4-SMD，扁平引線供應商器件封裝: 南皇電子自營直供，NE3517S03-T1C-A均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
NE3517S03-T1C-A（制造商：Renesas），技術規格DISCRETE RF FET RF FET
