HSG1002VE-TL-E
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HSG1002VE-TL-E（Renesas） - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
基本資料：
零件型號：
HSG1002VE-TL-E
制造廠商：
Renesas
技術規格：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
功能類別：RF電晶體
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技術參數詳情：
Renesas瑞薩完整型號：HSG1002VE-TL-E
製造廠家名稱：Renesas Electronics America
描述：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
系列：-
電晶體類型：NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：3.5V
頻率 - 躍遷：38GHz
雜訊係數（dB，不同 f 時的典型值）：0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
增益：8dB ~ 19.5dB
功率 - 最大值：200mW
不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，2V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35mA
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：4-SMD，鷗翼型
供應商器件封裝：4-MFPAK
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HSG1002VE-TL-E（制造商：Renesas），技術規格IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4 RF電晶體
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