RT1C060UNTR（ROHM） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：RT1C060UNTR製造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：-零件狀態：不適用於新設計FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：20V25°C時電流-連續漏極(Id)：6A（Ta）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：28 毫歐 @ 6A，4.5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：11nC @ 4.5VVgs（最大值）：±10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：870pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：650mW（Ta）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-TSST南皇電子自營直供，RT1C060UNTR均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
RT1C060UNTR（制造商：ROHM），技術規格MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
