RQ3E180GNTB（ROHM） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：RQ3E180GNTB製造商：Rohm Semiconductor描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：-零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續漏極(Id)：18A（Ta）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.3 毫歐 @ 18A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：22.4nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1520pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2W（Ta）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-HSMT（3.2x3）南皇電子自營直供，RQ3E180GNTB均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
RQ3E180GNTB（制造商：ROHM），技術規格MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
