RGT30NS65DGTL（ROHM）-南皇電子|電子元器件代理

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RGT30NS65DGTL（ROHM） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：RGT30NS65DGTL

制造廠商：ROHM

技術規格：IGBT 650V 30A 133W TO-263S

功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳情：

製造商產品型號：RGT30NS65DGTL

製造商：Rohm Semiconductor

描述：IGBT 650V 30A 133W TO-263S

系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：30A

電流-集電極脈衝(Icm)：45A

不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，15A

功率-最大值：133W

開關能量：-

輸入類型：標準

柵極電荷：32nC

25°C時Td（開/關）值：18ns/64ns

測試條件：400V，15A，10 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：55ns

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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RGT30NS65DGTL（制造商：ROHM），技術規格IGBT 650V 30A 133W TO-263S 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

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