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NSVIMD10AMT1G(ON) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
NSVIMD10AMT1G圖片
基本資料:
  • 零件型號:NSVIMD10AMT1G
  • 制造廠商:ON
  • 技術規格:SURF MT BIASED RES XSTR
  • 功能類別:電晶體 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:NSVIMD10AMT1G
  • 製造商:ON Semiconductor
  • 描述:SURF MT BIASED RES XSTR
  • 系列:電晶體 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置
  • 零件狀態:有源
  • 電晶體類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):500mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器-基極(R1):13 千歐,130 歐姆
  • 電阻器-發射極(R2):10 千歐
  • 不同 Ic、Vce 時DC電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V / 68 @ 100mA,5V
  • 不同 Ib、Ic時 Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 1mA,10mA
  • 電流-集電極截止(最大值):500nA
  • 頻率-躍遷:-
  • 功率-最大值:285mW
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
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  • NSVIMD10AMT1G(制造商:ON),技術規格SURF MT BIASED RES XSTR 電晶體 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置
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