NSVIMD10AMT1G（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：NSVIMD10AMT1G製造商：ON Semiconductor描述：SURF MT BIASED RES XSTR系列：電晶體 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置零件狀態：有源電晶體類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）電流-集電極(Ic)（最大值）：500mA電壓-集射極擊穿（最大值）：50V電阻器-基極(R1)：13 千歐，130 歐姆電阻器-發射極(R2)：10 千歐不同 Ic、Vce 時DC電流增益(hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V不同 Ib、Ic時 Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 1mA，10mA電流-集電極截止（最大值）：500nA頻率-躍遷：-功率-最大值：285mW安裝類型：表面貼裝型封裝：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6南皇電子自營直供，NSVIMD10AMT1G均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
NSVIMD10AMT1G（制造商：ON），技術規格SURF MT BIASED RES XSTR 電晶體 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
