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    NSBA123EDXV6T1G（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    NSBA123EDXV6T1G圖片
    基本資料：
  • 零件型號：NSBA123EDXV6T1G
  • 制造廠商：ON
  • 技術規格：TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
  • 功能類別：電晶體 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：NSBA123EDXV6T1G
  • 製造商：ON Semiconductor
  • 描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
  • 系列：電晶體 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
  • 零件狀態：停產
  • 電晶體類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
  • 電阻器-基極(R1)：2.2 千歐
  • 電阻器-發射極(R2)：2.2 千歐
  • 不同 Ic、Vce 時DC電流增益(hFE)（最小值）：8 @ 5mA，10V
  • 不同 Ib、Ic時 Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 5mA，10mA
  • 電流-集電極截止（最大值）：500nA
  • 頻率-躍遷：-
  • 功率-最大值：500mW
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：SOT-563，SOT-666
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    NSBA123EDXV6T1G（制造商：ON），技術規格TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 電晶體 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
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