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NGTD21T65F2WP(ON) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
NGTD21T65F2WP圖片
基本資料:
  • 零件型號:NGTD21T65F2WP
  • 制造廠商:ON
  • 技術規格:IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
  • 功能類別:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:NGTD21T65F2WP
  • 製造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
  • 系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):-
  • 電流-集電極脈衝(Icm):200A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,45A
  • 功率-最大值:-
  • 開關能量:-
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:-
  • 25°C時Td(開/關)值:-
  • 測試條件:-
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:模具
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