NGTD21T65F2WP（ON）-南皇電子|電子元器件代理

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NGTD21T65F2WP（ON） - 南皇電子|電子元器件代理

圖片信息

基本資料：

零件型號：NGTD21T65F2WP

制造廠商：ON

技術規格：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳情：

製造商產品型號：NGTD21T65F2WP

製造商：ON Semiconductor

描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：-

電流-集電極脈衝(Icm)：200A

不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，45A

功率-最大值：-

開關能量：-

輸入類型：標準

柵極電荷：-

25°C時Td（開/關）值：-

測試條件：-

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：模具

南皇電子自營直供，NGTD21T65F2WP均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！

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