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    NGTB30N60SWG（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    NGTB30N60SWG圖片
    基本資料：
  • 零件型號：NGTB30N60SWG
  • 制造廠商：ON
  • 技術規格：IGBT 600V 60A 189W TO247
  • 功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載NGTB30N60SWG的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：NGTB30N60SWG
  • 製造商：ON Semiconductor
  • 描述：IGBT 600V 60A 189W TO247
  • 系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：停產
  • IGBT類型：溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
  • 電流-集電極脈衝(Icm)：120A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A
  • 功率-最大值：189W
  • 開關能量：750µJ（開），540µJ（關）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：90nC
  • 25°C時Td（開/關）值：57ns/109ns
  • 測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：200ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-247-3
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    NGTB30N60SWG（制造商：ON），技術規格IGBT 600V 60A 189W TO247 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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