NGB8207BNT4G（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
ON安森美半導體完整型號：NGB8207BNT4G製造廠家名稱：ON Semiconductor描述：IGBT 365V 20A 165W D2PAK3系列：-IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：365V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：50A不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.6V @ 4V，20A功率 - 最大值：165WSwitching Energy：-輸入類型：邏輯Gate Charge：-25°C 時 Td（開/關）值：-Test Condition：-反向恢復時間 (trr)：-產品封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB安裝類型：表面貼裝供應商器件封裝：D2PAK南皇電子自營直供，NGB8207BNT4G均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
NGB8207BNT4G（制造商：ON），技術規格IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 單路IGBT
