NGB8206N（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：NGB8206N製造商：ON Semiconductor描述：IGBT 390V 20A 150W D2PAK系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：停產IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：390V電流-集電極(Ic)（最大值）：20A電流-集電極脈衝(Icm)：50A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 4.5V，20A功率-最大值：150W開關能量：-輸入類型：邏輯柵極電荷：-25°C時Td（開/關）值：-/5µs測試條件：300V，9A，1 千歐，5V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB南皇電子自營直供，NGB8206N均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
NGB8206N（制造商：ON），技術規格IGBT 390V 20A 150W D2PAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
