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    HGTP2N120CN（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
    圖片信息
    HGTP2N120CN圖片
    基本資料：
  • 零件型號：HGTP2N120CN
  • 制造廠商：ON
  • 技術規格：IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
  • 功能類別：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載HGTP2N120CN的原廠技術規格書（PDF文件）
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    • 技術參數詳情：
  • 製造商產品型號：HGTP2N120CN
  • 製造商：ON Semiconductor
  • 描述：IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
  • 系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：停產
  • IGBT類型：NPT
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：13A
  • 電流-集電極脈衝(Icm)：20A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，2.6A
  • 功率-最大值：104W
  • 開關能量：96µJ（開），355µJ（關）
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：30nC
  • 25°C時Td（開/關）值：25ns/205ns
  • 測試條件：960V，2.6A，51 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：-
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-220-3
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    HGTP2N120CN（制造商：ON），技術規格IGBT 1200V 13A 104W TO220AB 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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