HGTG12N60B3（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：HGTG12N60B3製造商：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 27A 104W TO247系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：停產IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：27A電流-集電極脈衝(Icm)：110A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，12A功率-最大值：104W開關能量：150µJ（開），250µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：51nC25°C時Td（開/關）值：26ns/150ns測試條件：480V，12A，25 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-247-3南皇電子自營直供，HGTG12N60B3均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
HGTG12N60B3（制造商：ON），技術規格IGBT 600V 27A 104W TO247 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
