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HGTD7N60C3S9A(ON) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
HGTD7N60C3S9A圖片
基本資料:
  • 零件型號:HGTD7N60C3S9A
  • 制造廠商:ON
  • 技術規格:IGBT 600V 14A TO252AA
  • 功能類別:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:HGTD7N60C3S9A
  • 製造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT 600V 14A TO252AA
  • 系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:不適用於新設計
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):14A
  • 電流-集電極脈衝(Icm):56A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,7A
  • 功率-最大值:60W
  • 開關能量:165µJ(開),600µJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:23nC
  • 25°C時Td(開/關)值:-
  • 測試條件:-
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
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