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HGT1S7N60C3DS全球貨源,采購無憂
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HGT1S7N60C3DS(ON) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
HGT1S7N60C3DS圖片
基本資料:
  • 零件型號:HGT1S7N60C3DS
  • 制造廠商:ON
  • 技術規格:IGBT 600V 14A 60W TO263AB
  • 功能類別:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載HGT1S7N60C3DS的原廠技術規格書(PDF文件)
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:HGT1S7N60C3DS
  • 製造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT 600V 14A 60W TO263AB
  • 系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):14A
  • 電流-集電極脈衝(Icm):56A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,7A
  • 功率-最大值:60W
  • 開關能量:165µJ(開),600µJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:23nC
  • 25°C時Td(開/關)值:-
  • 測試條件:480V,7A,50歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):37ns
  • 工作溫度:-
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • 南皇電子自營直供,HGT1S7N60C3DS均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
  • HGT1S7N60C3DS(制造商:ON),技術規格IGBT 600V 14A 60W TO263AB 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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