HGT1S2N120CN（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：HGT1S2N120CN製造商：ON Semiconductor描述：IGBT 1200V 13A 104W I2PAK系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：停產IGBT類型：NPT電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V電流-集電極(Ic)（最大值）：13A電流-集電極脈衝(Icm)：20A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，2.6A功率-最大值：104W開關能量：96µJ（開），355µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：30nC25°C時Td（開/關）值：25ns/205ns測試條件：960V，2.6A，51 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA南皇電子自營直供，HGT1S2N120CN均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
HGT1S2N120CN（制造商：ON），技術規格IGBT 1200V 13A 104W I2PAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
