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HGT1S2N120CN(ON) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
HGT1S2N120CN圖片
基本資料:
  • 零件型號:HGT1S2N120CN
  • 制造廠商:ON
  • 技術規格:IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
  • 功能類別:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:HGT1S2N120CN
  • 製造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
  • 系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • IGBT類型:NPT
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):13A
  • 電流-集電極脈衝(Icm):20A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,2.6A
  • 功率-最大值:104W
  • 開關能量:96µJ(開),355µJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:30nC
  • 25°C時Td(開/關)值:25ns/205ns
  • 測試條件:960V,2.6A,51 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
  • 南皇電子自營直供,HGT1S2N120CN均從電子元器件代理商采購,確保原裝正品!
  • HGT1S2N120CN(制造商:ON),技術規格IGBT 1200V 13A 104W I2PAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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