HGT1S20N60C3S9A（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：HGT1S20N60C3S9A製造商：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 45A TO263AB系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：不適用於新設計IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：45A電流-集電極脈衝(Icm)：300A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，20A功率-最大值：164W開關能量：295µJ（開），500µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：91nC25°C時Td（開/關）值：28ns/151ns測試條件：480V，20A，10 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB南皇電子自營直供，HGT1S20N60C3S9A均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
HGT1S20N60C3S9A（制造商：ON），技術規格IGBT 600V 45A TO263AB 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
