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HGT1S20N60A4S9A(ON) - 南皇電子|電子元器件代理
圖片信息
HGT1S20N60A4S9A圖片
基本資料:
  • 零件型號:HGT1S20N60A4S9A
  • 制造廠商:ON
  • 技術規格:IGBT 600V 70A 290W TO263AB
  • 功能類別:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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  • 技術參數詳情:
  • 製造商產品型號:HGT1S20N60A4S9A
  • 製造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT 600V 70A 290W TO263AB
  • 系列:電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):70A
  • 電流-集電極脈衝(Icm):280A
  • 不同 Vge、Ic時 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,20A
  • 功率-最大值:290W
  • 開關能量:105µJ(開),150µJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:142nC
  • 25°C時Td(開/關)值:15ns/73ns
  • 測試條件:390V,20A,3 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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  • HGT1S20N60A4S9A(制造商:ON),技術規格IGBT 600V 70A 290W TO263AB 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
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