HGT1S10N120BNST（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：HGT1S10N120BNST製造商：ON Semiconductor描述：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：有源IGBT類型：NPT電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V電流-集電極(Ic)（最大值）：35A電流-集電極脈衝(Icm)：80A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A功率-最大值：298W開關能量：320µJ（開），800µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：100nC25°C時Td（開/關）值：23ns/165ns測試條件：960V，10A，10 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB南皇電子自營直供，HGT1S10N120BNST均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
HGT1S10N120BNST（制造商：ON），技術規格IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
