FQD11P06TM（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：FQD11P06TM製造商：ON Semiconductor描述：MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK系列：電晶體 - FET，MOSFET - 單個產品系列：QFET®零件狀態：有源FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：60V25°C時電流-連續漏極(Id)：9.4A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：185 毫歐 @ 4.7A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同Vgs時柵極電荷 (Qg)（最大值）：17nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：550pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），38W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：D-Pak南皇電子自營直供，FQD11P06TM均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
FQD11P06TM（制造商：ON），技術規格MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK 電晶體 - FET，MOSFET - 單個
