FGD5T120SH（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：FGD5T120SH製造商：ON Semiconductor描述：IGBT 1200V 5A FS3 DPAK系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V電流-集電極(Ic)（最大值）：10A電流-集電極脈衝(Icm)：12.5A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：3.6V @ 15V，5A功率-最大值：69W開關能量：247µJ（開），94µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：6.7nC25°C時Td（開/關）值：4.8ns/24.8ns測試條件：600V，5A，30 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63南皇電子自營直供，FGD5T120SH均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
FGD5T120SH（制造商：ON），技術規格IGBT 1200V 5A FS3 DPAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
