FGD3N60UNDF（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：FGD3N60UNDF製造商：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 6A 60W DPAK系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：有源IGBT類型：NPT電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：6A電流-集電極脈衝(Icm)：9A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.52V @ 15V，3A功率-最大值：60W開關能量：52µJ（開），30µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：1.6nC25°C時Td（開/關）值：5.5ns/22ns測試條件：400V，3A，10 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：21ns工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63南皇電子自營直供，FGD3N60UNDF均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
FGD3N60UNDF（制造商：ON），技術規格IGBT 600V 6A 60W DPAK 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
