FGD3N60LSDTM-T（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：FGD3N60LSDTM-T製造商：ON Semiconductor描述：INTEGRATED CIRCUIT系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：停產IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：6A電流-集電極脈衝(Icm)：25A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：1.5V @ 10V，3A功率-最大值：40W開關能量：250µJ（開），1mJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：12.5nC25°C時Td（開/關）值：40ns/600ns測試條件：480V，3A，470 歐姆，10V反向恢復時間(trr)：234ns工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63南皇電子自營直供，FGD3N60LSDTM-T均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
FGD3N60LSDTM-T（制造商：ON），技術規格INTEGRATED CIRCUIT 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
