FGB30N6S2DT（ON） - 南皇電子|電子元器件代理
技術參數詳情：
製造商產品型號：FGB30N6S2DT製造商：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 45A 167W TO263AB系列：電晶體 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：停產IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：45A電流-集電極脈衝(Icm)：108A不同 Vge、Ic時 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，12A功率-最大值：167W開關能量：55µJ（開），100µJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：23nC25°C時Td（開/關）值：6ns/40ns測試條件：390V，12A，10 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：46ns工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB南皇電子自營直供，FGB30N6S2DT均從電子元器件代理商采購，確保原裝正品！
FGB30N6S2DT（制造商：ON），技術規格IGBT 600V 45A 167W TO263AB 電晶體 - UGBT、MOSFET - 單
